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第113章 高主任面前怎么我们都是问题（第2页）

“氧化铝？”

段工点点头：“高主任说得对，就是这么考虑的。”

“毫米，高密度。”

听见此话，段工大为惊喜，小心问道：“那高主任，能不能.”

他没有纠结名字，问道：“渗碳材料里面，是不是加了氧化铝了？”

高振东不置可否，又问道：“碳颗粒粒径多大？”

“你们用的渗硅方法，的确不是最合适这种情况的方法，你们采用这种方法，硅化石墨碳化硅层有大量孔隙存在，SiC颗粒堆积疏松，强度自然不是特别好。”

又问了几个问题，高振东在脑袋里把自己看过的论文组织了一下，笑道：“段工，我有几个建议，你可以适当考虑。”

“同时，你们这个办法，液态硅中的碳化硅浓度达到饱和后，会快速长大，最终在石墨基体表面形成一层较厚的碳化硅层。”

不过想想，这个办法真的是很简单啊，甚至都想不出有什么能比这个更简单的了，如果能有效，那可就太好了，成本是真的低。

听见高振东一席话，碳研院的人激动程度，自不用多说。

“高主任，我听老曾说，上次你在和他们沟通导弹喷管的时候，提到过多晶石墨渗硅？”

“是的，高主任，我们的确是在做多晶石墨渗硅，想加强石墨强度，可是效果却不尽如人意。”

高振东没有给段工扔笔杆子的机会，继续说道：“这样，顺便能解决你们的第二个问题，氧化铝的使用问题。”

这下碳研院的人是明白这高主任是个真正的高手，碳研院其他技术人员双眼闪着小星星，看着两位大佬交流，运笔如飞。

高振东接下来的话，让碳研院的人有点很不好意思：“接下来，我再说第三个问题。”

高振东仔细观察了段工的图片和数据记录，实话说，这玩意他是不怎么特别懂的，可是他前世闲得无聊，为了和人在论坛上对线，论文看得多啊。

高振东一点不藏私：“碳化硅和硅配比3:2作为硅源原料，反应温度1600℃，真空环境下反应0.5h，你看，是不是很简单？”

此话一出，段工差点没一笔杆子扔过去，对对对，你说得都对，是很简单。

段工听到这一句，大喜，能问出这句话，证明高主任对于石墨渗硅，那是真懂的，他点点头：“对，加了，作为烧结助剂，氧化铝的加入能细化碳化硅晶粒，使碳化硅层更加致密。”

听见高振东找到了问题，段工先是一喜，然后又是一忧，光找出问题，没有办法也不够啊：“高主任，那用什么方法好？”

高振东道：“我的建议，是用液相渗硅的办法，这个办法在我看来，和你们现在使用的方法一样，具有操作简单、设备成本低、适合大批量生产等优点，与其他方法相比，这个办法也能较大程度保留石墨基体，有利于维持石墨的自润滑性和导热性能。”

高振东仔细听下来，感觉有点像原位反应法，只是可能在碳研院，现在不叫这个名字而已。

多晶石墨渗硅方法，高振东看到过的有液相渗硅法、原位反应法、浸涂法、化学气相沉积法、热压烧结法、反应熔渗法等等，他得先知道段工他们用的什么方法。

这句话，高振东也是有依据的，国产SRM材料的公开论文中，就提到过仿制C-17δ过程中，解决的最大问题就是渗硅层过厚而产生的热裂问题，只是没有说用的什么手段。

在高振东看来，殊途同归，自己提的这个方案，应该也是能解决这个问题的。

段工没有隐瞒，把自己单位使用的渗硅方法说了一遍。

高振东指着记录上的碳颗粒参数道：“我建议你们把碳颗粒的直径提高一点，提到毫米，同时，不要用紧致的高密度碳颗粒，用疏松一点的。”

高振东道：“你们是考虑到小粒径高密度碳原料能增加致密度，提高强度？”

“高主任，你看，这是我们渗硅后的材料测试记录，热裂现象很严重，强度也不好。”

关于碳研院石墨渗硅渗铜工艺等的相关说法，一律是我胡说八道。

今天第二章

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